Als een professionele kleine pakket 974nm 300mW DIL-pomplaser zonder TEC-koelerproductie, kunt u erop vertrouwen dat u een klein pakket 974nm 300mW DIL-pomplaser zonder TEC-koeler in onze fabriek koopt en wij zullen u de beste after-sales service en tijdige levering aanbieden.
Deze 1550nm 2W Single Wavelength High Power CW DFB Fiber Laser Module maakt gebruik van DFB laserchip en high-power gain optische padmodule om de high-power output van single-mode glasvezel te realiseren. Het professioneel ontworpen laserstuur- en temperatuurregelcircuit zorgt voor een veilige en stabiele werking van de laser.
De met Erbium gedoteerde vezel met hoge absorptie kan de lengte van de gebruikte vezel verminderen, waardoor het niet-lineaire effect van de vezel wordt verminderd, en wordt voornamelijk gebruikt in 1,5 µm vezelversterkers en vezellasers. De vezel wordt gepompt bij 980 nm of 1480 nm en heeft een laag lasverlies en een goede consistentie.
Deze 1550nm 5mW TO-CAN DFB-laserdiode is een product dat werkt over een breed temperatuurbereik met een lage temperatuur-golflengtecoëfficiënt. Het is zeer geschikt voor toepassingen zoals communicatieonderzoek, interferometrie en optische reflectometrie voor afstandsmeting in glasvezel of vrije ruimte. Elk apparaat wordt getest en ingebrand. Deze laser wordt geleverd in een TO Can van 5,6 mm. Het bevat een geïntegreerde asferische focusseerlens in de dop, waardoor de focusspot en numerieke apertuur (NA) kunnen worden afgestemd op SMF-28e+ fiber.
De High Power C-band 1W 30dBm Erbium Doped Fiber Amplifier EYDFA (EYDFA-HP) is gebaseerd op de dubbel beklede erbium-gedoteerde glasvezelversterkertechnologie, met behulp van een uniek optisch verpakkingsproces, gekoppeld aan een betrouwbaar hoogvermogen laserbeschermingsontwerp, om een krachtige laseroutput te bereiken in het golflengtebereik van 1540 ~ 1565 nm. Met een hoog vermogen en een laag geluidsniveau kan het worden gebruikt in glasvezelcommunicatie, Lidar, enz.
De 1 mm InGaAs/InP PIN-fotodiodechip biedt een uitstekende respons van 900 nm tot 1700 nm, de 1 mm InGaAs/InP PIN-fotodiodechip is ideaal voor 1310nm en 1550nm optische netwerktoepassingen met hoge bandbreedte. De apparaatserie biedt een hoge responsiviteit, lage donkerstroom en hoge bandbreedte voor hoge prestaties en een laaggevoelig ontvangerontwerp. Dit apparaat is ideaal voor fabrikanten van optische ontvangers, transponders, optische transmissiemodules en combinatie PIN-fotodiode - transimpedantieversterker.
Copyright @ 2020 Shenzhen Box Optronics Technology Co., Ltd. - China Glasvezelmodules, fabrikanten van glasvezelgekoppelde lasers, leveranciers van lasercomponenten. Alle rechten voorbehouden.
