Dit is een verpakte chip met geïntegreerde schakelingen die zijn samengesteld uit tientallen of tientallen miljarden transistors. Als we onder een microscoop inzoomen, zien we dat het interieur zo complex is als een stad. De geïntegreerde schakeling is een soort miniatuur elektronisch apparaat of onderdeel. Samen met bedrading en onderlinge verbindingen, gefabriceerd op een kleine of meerdere kleine halfgeleiderwafels of diëlektrische substraten om structureel nauw verbonden en intern gerelateerde elektronische circuits te vormen. Laten we het meest elementaire spanningsdelercircuit als voorbeeld nemen om te illustreren dat het is hoe een effect in de chip te realiseren en te produceren.
Geïntegreerde schakelingen kunnen dankzij de halfgeleidertechnologie klein worden gemaakt. Zuiver silicium is een halfgeleider, wat betekent dat het vermogen om elektriciteit te geleiden slechter is dan dat van isolatoren, maar niet zo goed als metalen. Dus het kleine aantal mobiele ladingen maakt silicium tot een halfgeleider. Maar een geheim wapen is onontbeerlijk voor doping bij chipwerk. Er zijn twee soorten doping voor silicium, P-type en N-type. N-type silicium geleidt elektriciteit door elektronen (elektronen zijn negatief geladen), en P-type silicium geleidt elektriciteit door gaten (een groot aantal positief geladen gaten). Hoe ziet de schakelaar in het spanningsdelercircuit eruit in de chip en hoe werkt het?
De schakelfunctie in de geïntegreerde schakeling is het transistorlichaam, een soort elektronische schakelaar. De gemeenschappelijke MOS-buis is de MOS-buis en de MOS-buis is gemaakt van N-type en P-type halfgeleiders op het P-type siliciumsubstraat. Er worden twee N-type siliciumgebieden vervaardigd. Deze twee N-type siliciumgebieden zijn de bronelektrode en de afvoerelektrode van de MOS-buis. Vervolgens wordt een laag siliciumdioxide gefabriceerd boven het middengebied van de Source en Drain, en vervolgens wordt het siliciumdioxide bedekt. Een laag geleider, deze laag geleider is de GATE pool van de MOS buis. Het P-type materiaal heeft een groot aantal gaten en slechts een paar elektronen, en de gaten zijn positief geladen, dus de positief geladen gaten in dit deel van het gebied zijn dominant, en er is een klein aantal negatief geladen elektronen, en het N-type gebied is negatief geladen. Elektronica domineert.
Laten we de analogie van een kraan gebruiken. De meest rechtse is Bron. We noemen het de bron, dat is de plaats waar het water uitstroomt. De poort in het midden is de poort, wat gelijk staat aan een waterklep. De afvoer aan de linkerkant is waar het water lekt. Net als de waterstroom stromen ook elektronen van de bron naar de afvoer. Dan is er een obstakel in het midden, dat is het P-materiaal. Het P-materiaal heeft een groot aantal positief geladen gaten en de elektronen ontmoeten de gaten. Het is geneutraliseerd en kan er niet doorheen. wat moeten we dan doen? We kunnen een positieve lading aan het rooster toevoegen om de negatief geladen elektronen in het P-type materiaal aan te trekken. Hoewel er niet veel elektronen in het P-type materiaal zitten, kan het toevoegen van een positieve lading aan het rooster toch enkele elektronen aantrekken om een kanaal te vormen. Het elektron passeert. De samenvatting is dat de bron de bron is van elektronen, die continu zorgen voor elektronen om naar de afvoer te stromen, maar of ze door het rooster kunnen gaan. Het rooster is als een klep, een schakelaar, die het openen en sluiten van de MOS-buis regelt. Dit is het principe van de MOS-buis als elektronische schakelaar.
Nu de elektronische schakelaar bekend is, gaan we kijken naar de realisatie van de weerstand. Maak eerst een N-type gebied op het P-type siliciumsubstraat en gebruik vervolgens metaal om de twee uiteinden van het N-type gebied naar buiten te leiden, zodat N1 en N2 de twee weerstanden zijn. Dit is het einde, dus het geïntegreerde circuit van het spanningsdelercircuit is om metaal te gebruiken om de MOS-buis en weerstand te verbinden waar we zojuist over spraken op de siliciumchip volgens de verbindingsrelatie van het circuit.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies.
Privacy Policy
